数据列表 | IRLD024 |
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产品相片 | IRFD9010PBF |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 1.5A,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 870pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRLD024 |