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IRL3215PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 150V, 0.184OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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典型关断延迟时间 | 38 ns | |
典型接通延迟时间 | 7.4 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 35 nC V @ 5 | |
典型输入电容值@Vds | 775 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
封装类型 | TO-220AB | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 80 W | |
最大栅源电压 | ±16 V | |
最大漏源电压 | 150 V | |
最大漏源电阻值 | 0.166 Ω | |
最大连续漏极电流 | 12 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
高度 | 8.77mm |