
| 数据列表 | IRL3102 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 设计资源 | IRL3102 Saber Model IRL3102 Spice Model |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 61A (Tc) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 13 毫欧 @ 37A,7V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 58nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2500pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 89W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRL3102 |