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IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies AG IGBT Transistors 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRGS4B60KD1PBF) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRGS4B60KD1PBF. Infineon Technologies AG SINGLE IGBT, 600V, 11A
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型号/制造商 |
IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies AG
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型号/制造商 |
IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies AG Transistor: IGBT, 600V, 12A, 63W, D2PAK
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型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IRGS4B60KD1PBF.![]() | 2135372 | INFINEON 晶体管, IGBT, 600V, 11A ![]() |
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数据列表 | IRG(B,S,SL)4B60KD1PbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRGB4B60KD1PBF Saber Model IRGB4B60KD1PBF Spice Model |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V,4A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 11A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 22A |
功率 - 最大值 | 63W |
Switching Energy | 120µJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 12nC |
Td (on/off) A 25°C | 22ns/100ns |
Test Condition | 400V, 4A, 100 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 93ns |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRGS4B60KD1PBF |