IRFS4310ZTRLPBF,IRFS4310ZTRLPBF|International Rectifier代理分销-IRFS4310ZTRLPBF全新原装货

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IRFS4310ZTRLPBF 库存编号:1658292 Infineon Technologies AG 询价	328 800起订 1-3周	800+ 4000+	￥13.76 ￥13.34 询价

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MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

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MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263

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Single N-Channel 100V 6 mOhm 120 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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IRFS4310ZTRLPBF N-channel MOSFET Transistor, 127 A, 100 V, 3+Tab-Pin D2PAK

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IRFS4310ZTRLPBF
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120 A, 100 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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	IRFS4310ZTRLPBF International Rectifier	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 暂无PDF 查看详细

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
IRFS4310ZTRLPBF	2725988	INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 10 V, 4 V (EN)

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产品描述 / 参考图片

制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZTRLPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
IRFS4310ZTRLPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
915-5045

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK 型号：IRFS4310ZTRLPBF 仓库库存编号：IRFS4310ZTRLPBFCT-ND 别名：IRFS4310ZTRLPBFCT <br>	无铅

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制造商型号： IRFS4310ZTRLPBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	IRF(B,S,SL)4310ZPBF
产品相片	TO-263
产品培训模块	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装	800
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	HEXFET®
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	120A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	6 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	6860pF @ 50V
功率 - 最大值	250W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
产品目录页面	1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	IRFS4310ZTRLPBFTR

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