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IRF9952TRPBF 库存编号:IRF9952PBFDKR-ND Infineon Technologies AG ![]() ![]() 购买 查看资料 | 10047 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+ | ¥14.83 ¥9.3 ¥6.12 ¥4.75 ¥4.31 ¥3.94 |
IRF9952TRPBF 库存编号:IRF9952PBFTR-ND Infineon Technologies AG ![]() ![]() 购买 查看资料 | 4000 4000起订 6-10天 | 4000+ 8000+ 12000+ | ¥3.63 ¥3.37 ¥3.35 |
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IRF9952TRPBFXTMA1 库存编号:448-IRF9952TRPBFXTMA1TR-ND Infineon Technologies AG ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 4000起订 6-10天 | 4000+ 8000+ 12000+ 20000+ 28000+ | ¥3.57 ¥3.48 ¥3.44 ¥3.39 ¥3.37 |
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IRF9952TR International Rectifier ![]() ![]() 购买 | 1416 1起订 1-3周 | 1+ 161+ 890+ | ¥13.72 ¥4.12 ¥3.57 |
型号/制造商 |
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IRF9952TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO 型号:IRF9952TRPBF 仓库库存编号:IRF9952PBFCT-ND 别名:*IRF9952TRPBF <br>IRF9952PBFCT <br> | 无铅 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO 型号:IRF9952TR 仓库库存编号:IRF9952TR-ND | 含铅 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号: IRF9952TRPBF 品牌: Infineon 库存编号: 827-3934 |
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![]() | International Rectifier IRF9952TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC 型号:IRF9952TRPBF 仓库库存编号:70017732 | ![]() |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | IRF9952TR International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC![]() ![]() 查看详细 |
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数据列表 | IRF9952 |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.5A,2.3A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 190pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |