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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRF8313PBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 9.7A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 15.5mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.8V
- 功耗, Pd: 2W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作??度最高值: 175°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗, Pd: 2W
- 功耗, Pd: 2W
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 晶体管类型: 功率MOSFET
- 漏极电流, Id 最大值: 9.7A
- 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 9.7A
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.0186ohm
- 阈值电压, Vgs th 最高: 2.35V
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