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IRF7807D2PB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
IRF7807D2PB
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET,N沟道,30V,8.3A,SOIC8
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
典型栅极电荷@Vgs
12 nC V @ 5
安装类型
表面贴装
宽度
4mm
封装类型
SOIC
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
引脚数目
8
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2500 mW
最大栅源电压
±12 V
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
0.025 Ω
最大连续漏极电流
8.3 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
配置
四漏极、单、三源
长度
5mm
高度
1.5mm
询价
*所需产品:
型号: IRF7807D2PB 品牌: International Rectifier 备注: MOSFET,N沟道,30V,8.3A,SOIC8
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