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制造商型号： IRF7555PBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET 双 PP MICRO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET 双 PP MICRO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双 PP MICRO-8
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 4.3A
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 55mohm
- 电压 @ Rds测量: -4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -1.2V
- 功耗, Pd: 1.25W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: μSOIC
- 针脚数: 8
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: 7555
- 功耗, Pd: 1.25W
- 功耗, Pd: 1.25W
- 外宽: 3.05mm
- 外部深度: 5.03mm
- 外部长度/高度: 1.11mm
- 封装/箱盒: Micro8
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 引脚节距: 0.65mm
- 排距: 4.24mm
- 晶体管数: 2
- 模块配置: 双
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: -4.3A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vds: 20V
- 电压, Vds 典型值: -20V
- 电流, Idm 脉冲: 34A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 通态电阻最大值: 55mohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: -0.6V
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