IRF7493PBF,IRF7493PBF|International Rectifier代理分销-IRF7493PBF全新原装货

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MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC

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Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC Tube

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Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC Tube

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MOSFET, N, SO-8

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Single N-Channel 80 V 15 mOhm 35 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 80V, RDS(ON) 11.5 Milliohms, ID 9.3A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-2

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 80V, 9.2A, 2.5W, SO8, HEXFET?

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产品描述 / 参考图片

制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7493PBF, 9.3 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
IRF7493PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
539-4962

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
IRF7493PBF	1013466	INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 80 V, 15 mohm, 10 V, 4 V (EN)

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制造商型号： IRF7493PBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	IRF7493PbF
产品相片	8-SOIC
产品培训模块	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装	95
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	9.3A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	15 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	1510pF @ 25V
功率 - 最大值	2.5W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SO

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