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| 型号/制造商 |
| IRF7488PBF Infineon Technologies AG
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IRF7488PBF | 9102914 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 80 V, 29 mohm, 10 V, 4 V  (EN) |
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| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | IRF7488PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，80V，6.3A，SOIC8 暂无PDF 查看详细 |
 | IRF7488PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N SO-8 查看详细 |
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 | IRF7488PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC 查看详细 |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRF7488PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，80V，6.3A，SOIC8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，80V，6.3A，SOIC8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 44 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 38 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1680 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.029 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 6.3 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
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