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产品信息
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场效应管 MOSFET P SO-8
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晶体管极性:
P沟道
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电流, Id 连续:
8.7A
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漏源电压, Vds:
12V
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在电阻RDS(上):
24mohm
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电压 @ Rds测量:
-4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
-900mV
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功耗, Pd:
2.5W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SOIC
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针脚数:
8
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD标号:
F7433
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功耗, Pd:
2.5W
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功耗, Pd:
2.5W
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外宽:
4.05mm
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外部深度:
5.2mm
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外部长度/高度:
1.75mm
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封装/箱盒:
SOIC
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
-8.9A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
-4.5V
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电压, Vds 典型值:
-12V
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电压, Vgs 最高:
-8V
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电流, Idm 脉冲:
36A
产地:
US
United States
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