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IRF6607TR1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R (Alt: IRF6607TR1) RoHS: Compliant 搜索 |
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IRF6607TR1 International Rectifier MOSFET Transistor, N-Channel, SMT
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IRF6607TR1 TT Electronics Resistors MOSFET Transistor, N-Channel, SMT
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 26A(Ta),85A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT 型号:IRF6601 仓库库存编号:IRF6601CT-ND 别名:IRF6601CT | 含铅 | |
Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 11A(Ta),48A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MQ 型号:IRF6602 仓库库存编号:IRF6602CT-ND 别名:IRF6602CT | 含铅 | |
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),92A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT 型号:IRF6603 仓库库存编号:IRF6603CT-ND 别名:*IRF6603 IRF6603CT | 含铅 | |
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),94A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT 型号:IRF6607 仓库库存编号:IRF6607CT-ND 别名:*IRF6607 IRF6607CT | 含铅 | |
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST 型号:IRF6608 仓库库存编号:IRF6608CT-ND 别名:*IRF6608 IRF6608CT | 无铅 | |
Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 31A(Ta),150A(Tc) 1.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT 型号:IRF6609 仓库库存编号:IRF6609CT-ND 别名:*IRF6609 IRF6609CT | 含铅 |
典型关断延迟时间 | 24 ns | |
典型接通延迟时间 | 20 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 48 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 6590 pF V @ 15 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 5.05mm | |
封装类型 | DirectFET MT | |
尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | |
引脚数目 | 7 | |
最低工作温度 | -40 °C | |
最大功率耗散 | 3.6 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.003 Ω | |
最大连续漏极电流 | 27 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极、双源、单 | |
长度 | 5.45mm | |
高度 | 0.6mm |