  |
  |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRF640PBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N沟道
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N沟道
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 18A
- 漏源电压, Vds: 200V
- 在电阻RDS（上）: 180mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 功耗, Pd: 125W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- MSL: (Not Applicable)
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 封装/箱盒: TO-220
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 漏极电流, Id 最大值: 18A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 200V
- 电压, Vgs 最高: 20V
询价