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制造商型号： IRF640PB
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，200V，18A，TO220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间45 ns
典型接通延迟时间14 ns
典型栅极电荷@Vgs70 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1300 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.7mm
封装类型TO-220AB
尺寸10.41 x 4.7 x 9.01mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散125 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压200 V
最大漏源电阻值0.18 Ω
最大连续漏极电流18 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置单
长度10.41mm
高度9.01mm
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