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| 型号/制造商 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant 搜索 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant 搜索 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220
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| 型号/制造商 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IRF640PBF Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 11A, 125W, TO220AB
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| IRF640PB Vishay | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB 型号：IRF640PBF 仓库库存编号：IRF640PBF-ND 别名：*IRF640PBF <br> |  |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | IRF640PB Vishay | MOSFET，N沟道，200V，18A，TO220AB 暂无PDF 查看详细 |
 | IRF640PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 查看详细 |
| IRF640PBF. VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 原厂原装货 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
| IRF640PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 查看详细 |
 | IRF640PBF VISHAY | 单 N 沟道 200 V 0.18 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220 查看详细 |
 | IRF640PBF VISHAY SILICONIX | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp 查看详细 |
 | IRF640PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 查看详细 |
| IRF640PB Vishay | MOSFET，N沟道，200V，18A，TO220AB 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | IRF640PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IRF640PBF | 8648395 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 180 mohm, 10 V, 4 V (EN) |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号： IRF640PBF 品牌： Vishay 库存编号： 541-0452 |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，200V，18A，TO220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.18 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 9.01mm |