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IRF640,127|NXP Semiconductors
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制造商型号: IRF640,127
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
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产品信息
数据列表 IRF640, IRF640S
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)16A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)180 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1850pF @ 25V
功率 - 最大值136W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
其它名称568-1161-5
934055545127
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