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产品信息
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芯片 MOSFET驱动器 3相 高边&低边
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器件类型:
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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模块配置:
半桥
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输出电流 峰值:
200mA
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电源电压最小??:
10V
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电源电压最大值:
20V
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封装类型:
DIP
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针脚数:
28
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输入延迟:
425ns
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输出延时:
400ns
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
125°C
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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偏移电压:
600V
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功耗, Pd:
1.5W
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器件标号:
21365
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封装/箱盒:
DIP
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工作温度范围:
-40°C 至 +125°C
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电压 Vcc 最低:
12V
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电压, Vcc 最大:
25V
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电源形式:
三相
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电源电压范围:
10V 至 20V
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芯片标号:
21365
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表面安装器件:
通孔
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输出数:
6
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输出电压:
620V
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输出电压 最大:
20V
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输出电压 最小:
10V
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输出电流:
200mA
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输出电流 + 最大:
250mA
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输出电流 汲入型 最小:
250mA
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输出电流 流出型 最小:
120mA
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逻辑功能号:
21365
产地:
US
United States
询价