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IPP08CN10N G|Infineon Technologies
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制造商型号: IPP08CN10N G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
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产品信息
数据列表 IP(B,I,P)08CN10N G
产品相片 TO-220-3
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)95A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8.5 毫欧 @ 95A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6660pF @ 50V
功率 - 最大值167W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3
产品目录页面1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IPP08CN10N G-ND
IPP08CN10NGIN
IPP08CN10NGX
IPP08CN10NGXK
SP000096465
SP000680844
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