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| IPB80N06S3L-05 Infineon Technologies AG MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 RoHS: Compliant 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2 型号：IPB80N06S3L-05 仓库库存编号：IPB80N06S3L-05INCT-ND 别名：IPB80N06S3L-05INCT <br>IPB80N06S3L05 <br> | 无铅 |
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制造商型号： IPB80N06S3L-05
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
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产品信息
| 数据列表 | IPB/IPI/IPP80N06S3L-05 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Jul/2010 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.5 毫欧 @ 69A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 115µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 273nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 13060pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 165W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB80N06S3L-05-ND IPB80N06S3L-05INTR IPB80N06S3L05XT SP000102221 |
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