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制造商型号： IPB80N04S303
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Infineon
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:40 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:3.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263
封装:Reel
下降时间:14 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:188 W
上升时间:17 ns
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:39 ns
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