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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IPB123N10N3 G
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | IPB123N10N3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 58A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 12.3 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 46µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2500pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 94W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB123N10N3 G-ND IPB123N10N3 GTR IPB123N10N3G SP000485968 |
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