  |
  |
数据正在加载中...
| 型号/制造商 |
| IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| 型号/制造商 |
| IPB090N06N3 G Infineon Technologies AG MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IPB090N06N3 G Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IPB090N06N3 G Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB090N06N3G) RoHS: Compliant 搜索 |
| IPB090N06N3GXT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB090N06N3GATMA1) RoHS: Compliant 搜索 |
| IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB090N06N3GATMA1) RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies AG Single N-Channel 60 V 9 mOhm 36 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 50A, 71W, PG-TO263-3
搜索 |
| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| IPB090N06N3 G INFINEON | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | IPB090N06N3 G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 50A 60V PG-TO263-3  查看详细 |
 | IPB090N06N3G Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
| IPB090N06N3 G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 50A 60V PG-TO263-3 查看详细 |
 | IPB090N06N3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | IPB090N06N3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号： IPB090N06N3G 品牌： Infineon 库存编号： 826-9529 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2 型号：IPB090N06N3 G 仓库库存编号：IPB090N06N3 GCT-ND 别名：IPB090N06N3 GCT <br> | |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 50A 60V PG-TO263-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
- 场效应管 MOSFET N沟道 50A 60V PG-TO263-3
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 50A
- 漏源电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（上）: 7.7mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 71W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-263
- 针脚数: 3
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 晶体管类型: 功率MOSFET
- 漏极电流, Id ???大值: 50A
- 电压, Vgs 最高: 20V