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| 型号/制造商 |
| IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
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| 型号/制造商 |
| IPB019N08N3G Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB019N08N3G) RoHS: Compliant 搜索 |
| IPB019N08N3G Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB019N08N3 G) RoHS: Compliant 搜索 |
| IPB019N08N3GXT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB019N08N3GATMA1) RoHS: Compliant 搜索 |
| IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB019N08N3GATMA1) RoHS: Compliant 搜索 |
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| IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET, N CH, 180A, 80V, PG-TO263-7
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| 型号/制造商 |
| IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies AG Single N-Channel 80 V 1.9 mOhm 155 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK-7 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies AG Single N-Channel 80 V 1.9 mOhm 155 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK-7 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
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| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | IPB019N08N3 G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 180A 80V PG-TO263-7  查看详细 |
 | IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES AG | Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 暂无PDF 查看详细 |
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| IPB019N08N3 G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 180A 80V PG-TO263-7 查看详细 |
 | IPB019N08N3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 查看详细 |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 180A 80V PG-TO263-7
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
- 场效应管 MOSFET N沟道 180A 80V PG-TO263-7
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 180A
- 漏源电压, Vds: 80V
- 在电阻RDS（上）: 1.9mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.8V
- 功耗, Pd: 300W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-263
- 针脚数: 7
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 晶体管类型: 功率MOSFET
- 漏极电流, Id 最大值: 180A
- 电压, Vgs 最高: 20V