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HSG1002VE-TL-E 库存编号:86112829 Renesas Electronics Corporation ![]() ![]() 购买 | 519687 816起订 1-2周 | 816+ 1000+ | ¥6.18 ¥5.83 |
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HSG1002VE-TL-E Renesas Electronics Corporation
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产品相片 | 4-MFP |
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标准包装 | 10,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 3.5V |
频率 - 跃迁 | 38GHz |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz |
增益 | 8dB ~ 19.5dB |
功率 - 最大值 | 200mW |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,2V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 35mA |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-SMD,鸥翼型 |
供应商器件封装 | 4-MFPAK |