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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FW342-TL
制造商： Sanyo
描述： 半导体,晶体管,MOSFET,FW342-TL-E,N沟道+P沟道,±30V/1.8W,SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Sanyo
描述： 半导体,晶体管,MOSFET,FW342-TL-E,N沟道+P沟道,±30V/1.8W,SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 12.5（N 通道）ns、13（P 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 77（N 通道）ns、87（P 通道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V（N 通道）、165 nC @ -10 V（P 通道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF @ -10 V（P 通道）、850 pF @ 10 V（N 通道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 封装类型 | SOP 8 | |
| 尺寸 | 5 x 4.4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 22 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30（N 通道）V、-30（P 通道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 52（N 通道）mΩ、98（P 通道）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -5（P 通道）A、6（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 通用 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
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