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FQD7N10LTF ON Semiconductor MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak 型号:FQD7N10LTF 仓库库存编号:FQD7N10LTF-ND | 无铅 |
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数据列表 | FQD7N10L, FQU7N10L D-PAK Tape and Reel Data |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.8A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 350 毫欧 @ 2.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 290pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |