型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
FQD19N10TM 库存编号:FQD19N10TMDKR-ND onsemi ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ | ¥10.97 |
FQD19N10TM 库存编号:FQD19N10TMCT-ND onsemi ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | ||
FQD19N10TM 库存编号:FQD19N10TMTR-ND onsemi ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | ||
FQD19N10TF 库存编号:FQD19N10TF-ND onsemi ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 2000起订 6-10天 | 2000+ 4000+ 6000+ 10000+ | ¥4.92 ¥4.54 ¥4.92 ¥4.15 |
FQD19N10TM_F080 库存编号:FQD19N10TM_F080-ND onsemi ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 2000起订 6-10天 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
FQD19N10TM 库存编号:FQD19N10TM onsemi ![]() ![]() 询价 | 0 1起订 1-3周 | 1+ 5+ 25+ 100+ 500+ | ¥14.3 ¥11 ¥8.32 ¥6.61 ¥6.17 |
型号/制造商 |
FQD19N10TM ON Semiconductor MOSFETs
搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
FQD19N10TM ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD19N10TM) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
FQD19N10TM ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD19N10TM) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
FQD19N10TM ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQD19N10TM) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
FQD19N10TM ON Semiconductor N-Channel 100 V 0.1 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
FQD19N10TM Fairchild Semiconductor Corporation
搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
FQD19N10TM Freescale Semiconductor
搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
FQD19N10T Fairchild Semiconductor ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | FQD19N10T Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,100V,15.6A,DPAK![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | FQD19N10TF Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK![]() ![]() 查看详细 |
![]() | FQD19N10TM FAIRCHILD | FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3![]() ![]() 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | FQD19N10T Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,100V,15.6A,DPAK![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | FQD19N10TF Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK![]() ![]() 查看详细 |
![]() | FQD19N10TM FAIRCHILD | FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3![]() ![]() 查看详细 |
![]() | FQD19N10TM Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK![]() ![]() 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | FQD19N10TF Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK![]() ![]() 查看详细 |
![]() | FQD19N10TM Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK![]() ![]() 查看详细 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号: FQD19N10TM 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 671-0974 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 15.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak 型号:FQD19N10TM 仓库库存编号:FQD19N10TMCT-ND 别名:FQD19N10TMCT <br> | 无铅 |
![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak 型号:FQD19N10TF 仓库库存编号:FQD19N10TF-ND | 无铅 |
典型关断延迟时间 | 20 ns | |
典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 19 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 600 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 6.1mm | |
封装类型 | DPAK | |
尺寸 | 6.6 x 6.1 x 2.3mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2500 mW | |
最大栅源电压 | ±25 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 0.1 Ω | |
最大连续漏极电流 | 15.6 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 6.6mm | |
高度 | 2.3mm |