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制造商型号: FQB12N20TM
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:11.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):280 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:D2PAK
封装:Reel
下降时间:55 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:3.13 W
上升时间:120 ns
典型关闭延迟时间:30 ns
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