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制造商型号: FDB6035L
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:58 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):12.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263AB
封装:Reel
下降时间:17 ns
最小工作温度:- 65 C
功率耗散:75 W
上升时间:150 ns
工厂包装数量:800
典型关闭延迟时间:29 ns
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