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场效应管 MOSFET NPN + N通道
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晶体管极性:
PNP+N MOSFET
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电压, Vceo:
12V
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过渡频率, ft:
320MHz
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功耗, Pd:
150mW
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集电极直流电流:
500mA
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直流电流增益, hFE:
270
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
EMT
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针脚数:
6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封装/箱盒:
EMT
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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晶体管数:
2
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最大连续电流, Ic:
500mA
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模块配置:
双
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输出电压 最大:
12V
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输出电流 最大:
100mA
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通道数:
2
产地:
KR
Korea (Republic of)