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EMF22T2R ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR NPN + DTR DIGITAL, SMT, EMT PKG.
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![]() | Rohm Semiconductor TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 型号:EMF22T2R 仓库库存编号:EMF22T2R-ND | 无铅 |
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数据列表 | EMF22, UMF22N |
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产品相片 | EMT6_EMT6 PKg |
标准包装 | 8,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA,500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V,12V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz,320MHz |
功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | EMT6 |