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 | ON Semiconductor TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563 型号：EMF18XV6T5G 仓库库存编号：EMF18XV6T5G-ND | |
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： EMF18XV6T5G
制造商： ON Semiconductor
描述： TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： ON Semiconductor
描述： TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | EMF18XV6T5 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-563-6_463A |
| 产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 47k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 47k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V / 120 @ 1mA，6V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 140MHz |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
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