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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： DMN5L06DW-7
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | DMN5L06DW |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 |
| 其它图纸 | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| PCN Other | Multiple Changes 14/May/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 280mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN5L06DWDITR |
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