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DMG4468LFG|Diodes Inc
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制造商型号: DMG4468LFG
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
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产品信息
数据列表 DMG4468LFG
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.62A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)15 毫欧 @ 11.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)18.85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)867pF @ 10V
功率 - 最大值990mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-DFN3030 EP(3x3)
产品目录页面1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DMG4468LFGDITR
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