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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： DMG3415UFY4-7
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | DMG3415UFY4 |
|---|---|
| 产品相片 | DFN 2015H4-3 |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 16V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 281.9pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 490mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 供应商器件封装 | DFN2015H4-3 |
| 产品目录页面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMG3415UFY4-7DITR DMG3415UFY47 |
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