![BUZ900D|SEMELAB](//upload.szcwdz.com/kucunpic/9/93997.jpg)
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产品信息
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场效应管 MOSFET N TO-3
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
16A
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???源电压, Vds:
160V
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在电阻RDS(上):
750mohm
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1.5V
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功耗, Pd:
250W
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封装类型:
TO-3
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针脚数:
2
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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器件标记:
BUZ900D
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封装/箱盒:
TO-3
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
16A
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电压, Vds 典型值:
160V
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电压, Vgs 最高:
14V
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表面安装器件:
通孔
产地:
GB
United Kingdom
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