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产品信息
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场效应管 MOSFET N TO-220
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
21A
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漏源电压, Vds:
200V
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在电阻RDS(上):
130mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
3V
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功耗, Pd:
125W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
TO-220AB
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针脚数:
3
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功耗, Pd:
125W
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功耗, Pd:
125W
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单脉冲雪崩能量 Eas:
450mJ
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器件标记:
BUZ30A
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封装/箱盒:
TO-220AB
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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引脚节距:
2.54mm
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总功率, Ptot:
125W
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时间, trr 典型值:
180ns
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
26°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
21A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
200V
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电压, Vgs 最高:
20V
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电容值, Ciss 典型值:
1400pF
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电流, Idm 脉冲:
84A
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表面安装器件:
通孔
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通态电阻 @ Vgs = 10V:
130mohm
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针脚格式:
1G, (2+Tab)D, 3S
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针脚配置:
a
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阈值电压, Vgs th 最低:
2.1V
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阈值电压, Vgs th 最高:
4V
产地:
GB
United Kingdom
询价