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| BUK7E4R6-60E,127 Nexperia MOSFET BUK7E4R6-60E/I2PAK/STANDARD MA RoHS: Compliant 搜索 |
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| BUK7E4R6-60E,127 Nexperia Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail - Rail/Tube (Alt: BUK7E4R6-60E,127) RoHS: Compliant 搜索 |
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| BUK7E4R6-60E NXP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | BUK7E4R6-60E NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A I2PAK  查看详细 |
 | BUK7E4R6-60E,127 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK 查看详细 |
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 | Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK 详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK 型号：BUK7E4R6-60E,127 仓库库存编号：1727-7246-ND 别名：1727-7246 <br>568-9855-5 <br>568-9855-5-ND <br>934066658127 <br>BUK7E4R660E127 <br> | |
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制造商型号： BUK7E4R6-60E
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A I2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A I2PAK
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产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A I2PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 100A
- 漏源电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（上）: 0.00336ohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 234W
- 工作温度最小值: -55°C
- ???作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-262
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
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