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产品信息
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场效应管 MOSFET P SOT-23
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晶体管极性:
P沟道
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电流, Id 连续:
-170mA
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漏源电压, Vds:
60V
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在电阻RDS(上):
8ohm
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电压 @ Rds测量:
-10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
-1.5V
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功耗, Pd:
360mW
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SOT-23
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针脚数:
3
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SMD标号:
YBs
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上升时间:
9ns
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下降时间:
34ns
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单脉冲雪崩能量 Eas:
2.6mJ
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器件标记:
YBs
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外宽:
3.05mm
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外部深度:
2.5mm
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外部长度/高度:
1.12mm
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封装/箱盒:
SOT-23
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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带子宽度:
8mm
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时间, trr 典型值:
23ns
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晶体管数:
1
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最大重复雪崩能量 Ear:
0.036mJ
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
-10V
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电压, Vds 典型值:
-60V
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电压, Vgs 最高:
-1.5V
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电压变化率 dv/dt:
6kV/μs
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电容值, Ciss 典型值:
19pF
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电流, Idm 脉冲:
680mA
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电流, Idss 最大:
1μA
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结温, Tj 最大值:
150°C
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结温, Tj 最小值:
-55°C
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表面安装器件:
SMD
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通态电阻 @ Vgs = 4.5V:
12ohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
-1V
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阈值电压, Vgs th 最高:
-2V
产地:
MY
Malaysia
询价