型号/制造商 |
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
型号/制造商 |
BSS308PE H6327 Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: BSS308PE H6327) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BSS308PEH6327XTSA1) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
BSS308PEH6327XTSA1/SAMPLE Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BSS308PEH6327XTSA1/SAMPLE) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies AG MOSFET, P CH, -30V, -2A, SOT-23-3
搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies AG Single P-Channel 30 V 80 mOhm 5 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies AG Single P-Channel 30 V 80 mOhm 5 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
BSS308PE H6327 Infineon Technologies ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BSS308PE H6327 Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23![]() ![]() 查看详细 |
![]() | BSS308PEH6327 Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF 查看详细 |
![]() | BSS308PEH6327XT Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS P3 Small Signal Transistor 暂无PDF 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BSS308PE H6327 Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23![]() ![]() 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BSS308PE H6327 Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23![]() ![]() 查看详细 |
数据列表 | BSS308PE |
---|---|
产品相片 | SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 80 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 11µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 500pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
其它名称 | BSS308PE H6327-ND BSS308PEH6327 BSS308PEH6327XTSA1 SP000928942 |