声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET N型 30V SO-8
-
晶体管极性:
N沟道
-
电流, Id 连续:
13A
-
漏源电压, Vds:
30V
-
在电阻RDS(上):
9.7mohm
-
电压 @ Rds测量:
10V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
1.6V
-
功耗, Pd:
1.56W
-
封装类型:
SOIC
-
针脚数:
8
-
封装/箱盒:
SOIC
-
晶体管类型:
增强
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
-
电压, Vds:
30V
-
电压, Vds 典型值:
30V
-
电流, Idm 脉冲:
52A
-
表面安装器件:
SMD
-
通态电阻 @ Vgs = 4.5V:
13.6mohm
产地:
CN
China
询价