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BSC12DN20NS3G|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BSC12DN20NS3G
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 200V 11.3A
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:11.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:108 mOhms
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-TDSON-8
封装:Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :12 S, 6 S
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:50 W
系列:BSC12DN20
商标名:OptiMOS
零件号别名:BSC12DN20NS3GATMA1
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