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BSC011N03LSIXT|Infineon Technologies
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制造商型号: BSC011N03LSIXT
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET OptiMOS Power MOSFET
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:100 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.1 mOhms
配置:Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-TSDSON-8
封装:Reel
下降时间:6.2 ns
栅极电荷 Qg:72 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:96 W
上升时间:8.8 ns
系列:BSC011N03
商标名:OptiMOS
典型关闭延迟时间:37 ns
零件号别名:BSC011N03LSIATMA1
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