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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BLF242
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET RF SOT-123
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET RF SOT-123
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET RF SOT-123
- 晶体管类型: RF MOSFET
- 漏源电压, Vds: 65V
- 电流, Id 连续: 1A
- 功耗, Pd: 5W
- 最低工作频率: 25MHz
- 最高工作频率: 200MHz
- 噪声: 5.5dB
- 工作温度最小值: -65°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-123A
- 针脚数: 4
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 典型增益带宽, ft: 175MHz
- 功耗, Pd: 5W
- 功耗最大值: 16W
- 器件标号: 1
- 在电阻RDS（上）: 3.3ohm
- 封装/箱盒: SOT-123
- 封装类型: SOT-123
- 工作温度范围: -65°C 至 +150°C
- 工作频率范围: 25MHz 至 200MHz
- 效率: 50%
- 晶体管数: 1
- 晶体管极性: N沟道
- 最小功率增益 Gp: 13dB
- 漏极电流, Id 最大值: 1A
- 用途代码: RFPOWMOS
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 1V
- 电压, Vds 典型值: 28V
- 电容值, Ciss 典型值: 13pF
- 电流, Idm 脉冲: 1A
- 电流, Idss 最大: 10μA
- 表面安装器件: 螺丝
- 负载功率: 16W
- 通态电阻最大值: 5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
- 阈值电压, Vgs th 最高: 4.5V
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