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APT66M60B2|Microsemi Power Products Group
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制造商型号: APT66M60B2
制造商: Microsemi Power Products Group
描述: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
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产品信息
数据列表 Power Products Catalog
APT66M60(B2,L)
产品相片 T-MAX Pkg
产品目录绘图 T-MAX Front
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)70A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)100 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)330nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)13190pF @ 25V
功率 - 最大值1135W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3 变式
供应商器件封装T-MAX? [B2]
产品目录页面1634 (CN2011-ZH PDF)
其它名称APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
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