
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET N TO-247
-
晶体管极性:
N沟道
-
电流, Id 连续:
43A
-
漏源电压, Vds:
600V
-
在电阻RDS(上):
160mohm
-
电压 @ Rds测量:
10V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
5V
-
功耗, Pd:
600W
-
封装类型:
TO-247
-
针脚数:
3
-
MSL:
(不适用)
-
功耗, Pd:
600W
-
功耗, Pd:
600W
-
单脉冲雪崩能量 Eas:
808.9mJ
-
封装/箱盒:
TO-247
-
封装类型, 其它:
SOT-249
-
引脚节距:
5.45mm
-
总功率, Ptot:
600W
-
温度 @ 电流测量:
25°C
-
满功率温度:
25°C
-
漏极电流, Id 最大值:
43A
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
-
电压, Vds 典型值:
600V
-
电压, Vgs 最高:
30V
-
电流, Idm 脉冲:
172A
-
结温, Tj 最大值:
150°C
-
表面安装器件:
通孔
-
重复雪崩电流, Iar:
21.5A
-
阈值电压, Vgs th 最低:
3V
-
阈值电压, Vgs th 最高:
5V
产地:
JP
Japan
询价