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2SK3479-ZJ-E1-AZ|Renesas Electronics America
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制造商型号: 2SK3479-ZJ-E1-AZ
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 100V 83A TO-263
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产品信息
数据列表 2SK3479
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)83A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)11 毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)210nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)11000pF @ 10V
功率 - 最大值1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装TO-263
其它名称2SK3479-ZJ-E1-AZ-ND
2SK3479-ZJ-E1-AZTR
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