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产品信息
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场效应管 MOSFET N TO-220 隔离
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
25A
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漏源电压, Vds:
60V
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在电阻RDS(上):
80mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
2V
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功耗, Pd:
35W
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封装类型:
TO-220FP
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针脚数:
3
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功耗, Pd:
35W
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功耗, Pd:
35W
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封装/箱盒:
TO-220FP
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
25A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
60V
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电压, Vgs 最高:
20V
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电流, Idm 脉冲:
100A
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表面安装器件:
通孔
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阈值电压, Vgs th 最高:
2V
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隔离电压:
2kV
产地:
JP
Japan
询价