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2SA1962-O(Q) Toshiba America Electronic Components Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
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2SA1962-O(Q) Toshiba America Electronic Components Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN - Bulk (Alt: 2SA1962-O(Q)) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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2SA1962-O(Q) Toshiba America Electronic Components Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SA1962O(Q) Toshiba America Electronic Components TRANSISTOR,BJT,PNP,230V V(BR)CEO,15A I(C),TO-247VAR
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Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 130W Through Hole TO-3P(N) 型号:2SA1962-O(Q) 仓库库存编号:2SA1962-OQ-ND 别名:2SA1962-OQ <br>2SA1962OQ <br> | 无铅 |
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数据列表 | 2SA1962 |
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产品相片 | TO-3P-3,TO-247-3 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 15A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 230V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 3V @ 800mA,8A |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 1A,5V |
功率 - 最大值 | 130W |
频率 - 跃迁 | 30MHz |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3P(N) |
产品目录页面 | 1656 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 2SA1962-OQ 2SA1962OQ |