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2N7002DW H6327|Infineon Technologies
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制造商型号: 2N7002DW H6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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产品信息
数据列表 2N7002DW Datasheet
产品相片 SOT-363 PKG
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)300mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)20pF @ 25V
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装PG-SOT363-6
其它名称2N7002DW H6327-ND
2N7002DWH6327
2N7002DWH6327XTSA1
SP000917596
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